Bipolar Transistoren General Porpose

JANSF2N5152

Trans GP BJT NPN 80V 2A 1000mW 3-Pin TO-39 Tray

Microchip Technology

Produktspezifikationen

• RoHS EU

  Not Compliant

• ECCN (USA)

  EAR99

• Part Status

  Active

• HTS

  EA

• Automotive

  No

• PPAP

  No

• Typ

  NPN

• Kategorie

  Bipolar Power

• Material

  Si

• Konfiguration

  Single

• Anzahl von Elementen pro Chip

  1

• Max. Kollektor-Basis-Spannung (V)

  100

• Max. Kollektor-Emitterspannung (V)

  80

• Max. Emitter-Basis-Spannung (V)

  5.5

• Max. Basis-Emitter-Sättigungsspannung (V)

  1.45@250mA@2.5A|2.2@500mA@5A

• Max. Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (V)

  0.75@250mA@2.5A|1.5@500mA@5A

• Max. DC-Kollektorstrom (A)

  2

• Mindestgleichstromverstärkung

  20@50mA@5V|30@2.5A@5V|20@5A@5V

• Max. Leistungsaufnahme (mW)

  1000

• Mindestbetriebstemperatur (°C)

  -65

• Max. Betriebstemperatur (°C)

  200

• Verpackung

  Tray

• Temperaturbereich Lieferant

  Military

• Durchmesser

  9.4(Max)

• Befestigung

  Through Hole

• Verpackungshöhe

  6.6(Max)

• Leiterplatte geändert

  3

• Standard-Verpackungsname

  TO

• Lieferantenverpackung

  TO-39

• Stiftanzahl

  3

• Leitungsform

  Through Hole