Bipolar Transistoren General Porpose

JANSF2N2222A

Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 500mW 3-Pin TO-18

Semicoa Semiconductors

Produktspezifikationen

• RoHS EU

  Not Compliant

• ECCN (USA)

  EAR99

• Part Status

  Active-Unconfirmed

• HTS

  EA

• Automotive

  Unknown

• PPAP

  Unknown

• Typ

  NPN

• Kategorie

  Bipolar Power

• Material

  Si

• Konfiguration

  Single

• Anzahl von Elementen pro Chip

  1

• Max. Kollektor-Basis-Spannung (V)

  75

• Max. Kollektor-Emitterspannung (V)

  50

• Max. Emitter-Basis-Spannung (V)

  6

• Operating Junction Temperature (°C)

  -65 to 200

• Max. Basis-Emitter-Sättigungsspannung (V)

  1.2@15mA@150mA|2@50mA@500mA

• Max. Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (V)

  0.3@15mA@150mA|1@50mA@500mA

• Max. DC-Kollektorstrom (A)

  0.8

• Mindestgleichstromverstärkung

  50@0.1mA@10V|75@1mA@10V|100@10mA@10V|100@150mA@10V|30@500mA@10V

• Max. Leistungsaufnahme (mW)

  500

• Mindestbetriebstemperatur (°C)

  -65

• Max. Betriebstemperatur (°C)

  200

• Temperaturbereich Lieferant

  Military

• Durchmesser

  5.84(Max)

• Befestigung

  Through Hole

• Verpackungshöhe

  5.33(Max)

• Leiterplatte geändert

  3

• Standard-Verpackungsname

  TO

• Lieferantenverpackung

  TO-18

• Stiftanzahl

  3

• Leitungsform

  Through Hole