Bipolar Transistoren General Porpose

JANS2N3635UB

Trans GP BJT PNP 140V 1A 500mW 4-Pin Case UB

Semicoa Semiconductors

Produktspezifikationen

• RoHS EU

  Compliant

• ECCN (USA)

  EAR99

• Part Status

  Active

• HTS

  EA

• Automotive

  No

• PPAP

  No

• Typ

  PNP

• Kategorie

  Bipolar Power

• Material

  Si

• Konfiguration

  Single

• Anzahl von Elementen pro Chip

  1

• Max. Kollektor-Basis-Spannung (V)

  140

• Max. Kollektor-Emitterspannung (V)

  140

• Max. Emitter-Basis-Spannung (V)

  5

• Max. Basis-Emitter-Sättigungsspannung (V)

  0.8@1mA@10mA|0.9@5mA@50mA

• Max. Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (V)

  0.3@1mA@10mA|0.6@5mA@50mA

• Max. DC-Kollektorstrom (A)

  1

• Mindestgleichstromverstärkung

  55@0.1mA@10V|90@1mA@10V|100@10mA@10V|100@50mA@10V|60@150mA@10V

• Max. Leistungsaufnahme (mW)

  500

• Mindestbetriebstemperatur (°C)

  -65

• Max. Betriebstemperatur (°C)

  200

• Temperaturbereich Lieferant

  Military

• Befestigung

  Surface Mount

• Verpackungshöhe

  1.42(Max)

• Verpackungsbreite

  2.74(Max)

• Verpackungslänge

  3.25(Max)

• Leiterplatte geändert

  4

• Lieferantenverpackung

  Case UB

• Stiftanzahl

  4