Bipolar Transistoren General Porpose
JAN2N2907AUB
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 500mW 4-Pin Case UB
Semicoa SemiconductorsProduktspezifikationen
RoHS EU
Not Compliant
ECCN (USA)
EAR99
Part Status
Active
HTS
EA
Automotive
No
PPAP
No
Typ
PNP
Kategorie
Bipolar Power
Material
Si
Konfiguration
Single
Anzahl von Elementen pro Chip
1
Max. Kollektor-Basis-Spannung (V)
60
Max. Kollektor-Emitterspannung (V)
60
Max. Emitter-Basis-Spannung (V)
5
Max. Basis-Emitter-Sättigungsspannung (V)
1.3@15mA@150mA|2.6@50mA@500mA
Max. Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (V)
0.4@15mA@150mA|1.6@50mA@500mA
Max. DC-Kollektorstrom (A)
0.6
Mindestgleichstromverstärkung
75@0.1mA@10V|100@1mA@10V|100@10mA@10V|100@150mA@10V|50@500mA@10V
Max. Leistungsaufnahme (mW)
500
Mindestbetriebstemperatur (°C)
-65
Max. Betriebstemperatur (°C)
200
Temperaturbereich Lieferant
Military
Befestigung
Surface Mount
Verpackungshöhe
1.42(Max)
Verpackungsbreite
2.74(Max)
Verpackungslänge
3.25(Max)
Leiterplatte geändert
4
Lieferantenverpackung
Case UB
Stiftanzahl
4
Bestellmenge

