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MOSFETs

IXFN48N50

Trans MOSFET N-CH 500V 48A 4-Pin SOT-227B

IXYS
Datenblätter 

Produktspezifikationen
  • RoHS EU
    Compliant with Exemption
  • ECCN (USA)
    EAR99
  • Part Status
    NRND
  • HTS
    8541.10.00.80
  • SVHC
    Yes
  • SVHC überschreitet Schwellenwert
    Yes
  • Automotive
    No
  • PPAP
    No
  • Kategorie
    Power MOSFET
  • Konfiguration
    Single Dual Source
  • Kanalmodus
    Enhancement
  • Kanalart
    N
  • Anzahl von Elementen pro Chip
    1
  • Max. Drain-Source-Spannung (V)
    500
  • Max. Gate-Source-Spannung (V)
    ±20
  • Max. Dauer-Drain-Strom (A)
    48
  • Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm)
    100@10V
  • Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC)
    270@10V
  • Typische Gate-Ladung bei 10 V (nC)
    270
  • Typische Eingangskapazität bei Vds (pF)
    8400@25V
  • Max. Leistungsaufnahme (mW)
    520000
  • Typische Abfallzeit (ns)
    30
  • Typische Anstiegszeit (ns)
    60
  • Typische Abschaltverzögerungszeit (ns)
    100
  • Typische Einschaltverzögerungszeit (ns)
    30
  • Mindestbetriebstemperatur (°C)
    -55
  • Max. Betriebstemperatur (°C)
    150
  • Befestigung
    Screw
  • Verpackungsbreite
    25.42(Max)
  • Verpackungslänge
    38.23(Max)
  • Leiterplatte geändert
    4
  • Standard-Verpackungsname
    SOT
  • Lieferantenverpackung
    SOT-227B
  • Stiftanzahl
    4

Dokumentation und Ressourcen

Datenblätter
Design-Ressourcen