MOSFETs

IXFN100N50P

Trans MOSFET N-CH 500V 90A 4-Pin SOT-227B

IXYS

Produktspezifikationen

• RoHS EU

  Compliant with Exemption

• ECCN (USA)

  EAR99

• Part Status

  Active

• HTS

  COMPONENTS

• SVHC

  Yes

• SVHC überschreitet Schwellenwert

  Yes

• Automotive

  No

• PPAP

  No

• Kategorie

  Power MOSFET

• Konfiguration

  Single Dual Source

• Kanalmodus

  Enhancement

• Kanalart

  N

• Anzahl von Elementen pro Chip

  1

• Max. Drain-Source-Spannung (V)

  500

• Max. Gate-Source-Spannung (V)

  ±30

• Max. Dauer-Drain-Strom (A)

  90

• Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm)

  49@10V

• Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC)

  240@10V

• Typische Gate-Ladung bei 10 V (nC)

  240

• Typische Eingangskapazität bei Vds (pF)

  20000@25V

• Max. Leistungsaufnahme (mW)

  1040000

• Typische Abfallzeit (ns)

  26

• Typische Anstiegszeit (ns)

  29

• Typische Abschaltverzögerungszeit (ns)

  110

• Typische Einschaltverzögerungszeit (ns)

  36

• Mindestbetriebstemperatur (°C)

  -55

• Max. Betriebstemperatur (°C)

  150

• Befestigung

  Screw

• Verpackungshöhe

  9.6(Max)

• Verpackungsbreite

  25.42(Max)

• Verpackungslänge

  38.23(Max)

• Leiterplatte geändert

  4

• Standard-Verpackungsname

  SOT

• Lieferantenverpackung

  SOT-227B

• Stiftanzahl

  4

• Leitungsform

  Screw