DRAM
IS45S16320F-7TLA2
DRAM Chip SDRAM 512Mbit 32Mx16 3.3V 54-Pin TSOP-II Automotive AEC-Q100
Integrated Silicon Solution IncProduktspezifikationen
RoHS EU
Compliant
ECCN (USA)
EAR99
Part Status
LTB
HTS
8542.32.00.28
Automotive
Yes
PPAP
Yes
Typ
SDRAM
Dichte (bit)
512M
Organisation
32Mx16
Zahl der internen Banken
4
Anzahl der Worte pro Bank
8M
Anzahl der Bits pro Wort (bit)
16
Datenbusbreite (bit)
16
Max. Taktfrequenz (MHz)
143
Max. Zugriffzeit (ns)
5.4
Adressbusbreite (bit)
15
Schnittstellenart
LVTTL
Mindestbetriebsspannung (V)
3
Max. Betriebsversorgungsspannung (V)
3.6
Max. Betriebsstrom (mA)
150
Mindestbetriebstemperatur (°C)
-40
Max. Betriebstemperatur (°C)
105
Temperaturbereich Lieferant
Automotive
Anzahl der E/A-Leitungen (bit)
16
Befestigung
Surface Mount
Verpackungshöhe
1
Verpackungsbreite
10.16
Verpackungslänge
22.22
Leiterplatte geändert
54
Standard-Verpackungsname
SO
Lieferantenverpackung
TSOP-II
Stiftanzahl
54

