DRAM

IS43R86400F-5BLI

DRAM Chip DDR SDRAM 512Mbit 64Mx8 2.5V 60-Pin TW-BGA

Integrated Silicon Solution Inc

Produktspezifikationen

• RoHS EU

  Compliant

• ECCN (USA)

  EAR99

• Part Status

  Active

• HTS

  8542.32.00.28

• Automotive

  No

• PPAP

  No

• Typ

  DDR SDRAM

• Dichte (bit)

  512M

• Organisation

  64Mx8

• Zahl der internen Banken

  4

• Anzahl der Worte pro Bank

  16M

• Anzahl der Bits pro Wort (bit)

  8

• Datenbusbreite (bit)

  8

• Max. Taktfrequenz (MHz)

  200

• Max. Zugriffzeit (ns)

  0.7

• Adressbusbreite (bit)

  15

• Schnittstellenart

  SSTL_2

• Mindestbetriebsspannung (V)

  2.3

• Max. Betriebsversorgungsspannung (V)

  2.7

• Max. Betriebsstrom (mA)

  150

• Mindestbetriebstemperatur (°C)

  -40

• Max. Betriebstemperatur (°C)

  85

• Temperaturbereich Lieferant

  Industrial

• Anzahl der E/A-Leitungen (bit)

  8

• Befestigung

  Surface Mount

• Verpackungshöhe

  1(Max)

• Verpackungsbreite

  8

• Verpackungslänge

  13

• Leiterplatte geändert

  60

• Standard-Verpackungsname

  BGA

• Lieferantenverpackung

  TW-BGA

• Stiftanzahl

  60