DRAM

IS43LR32800G-6BLI-TR

DRAM Chip Mobile-DDR SDRAM 256Mbit 8Mx32 1.8V 90-Pin TFBGA T/R

Integrated Silicon Solution Inc

Produktspezifikationen

• RoHS EU

  Compliant

• ECCN (USA)

  EAR99

• Part Status

  NRND

• HTS

  8542.32.00.24

• Automotive

  No

• PPAP

  No

• Typ

  Mobile-DDR SDRAM

• Dichte (bit)

  256M

• Organisation

  8Mx32

• Zahl der internen Banken

  4

• Anzahl der Worte pro Bank

  2M

• Anzahl der Bits pro Wort (bit)

  32

• Datenbusbreite (bit)

  32

• Max. Taktfrequenz (MHz)

  166

• Max. Zugriffzeit (ns)

  8|5.5

• Adressbusbreite (bit)

  14

• Schnittstellenart

  LVCMOS

• Mindestbetriebsspannung (V)

  1.7

• Max. Betriebsversorgungsspannung (V)

  1.95

• Max. Betriebsstrom (mA)

  130

• Mindestbetriebstemperatur (°C)

  -40

• Max. Betriebstemperatur (°C)

  85

• Temperaturbereich Lieferant

  Industrial

• Anzahl der E/A-Leitungen (bit)

  32

• Verpackung

  Tape and Reel

• Befestigung

  Surface Mount

• Verpackungshöhe

  0.8(Max) mm

• Verpackungsbreite

  8 mm

• Verpackungslänge

  13 mm

• Leiterplatte geändert

  90

• Standard-Verpackungsname

  BGA

• Lieferantenverpackung

  TFBGA

• Stiftanzahl

  90

• Leitungsform

  Ball