DRAM

IS43LR16800G-6BL

DRAM Chip DDR SDRAM 128Mbit 8Mx16 1.8V 60-Pin TFBGA

Integrated Silicon Solution Inc
Datenblätter 

Produktspezifikationen
  • RoHS EU
    Compliant
  • ECCN (USA)
    EAR99
  • Part Status
    Active
  • HTS
    8542.32.00.02
  • Automotive
    No
  • PPAP
    No
  • Typ
    DDR SDRAM
  • Dichte (bit)
    128M
  • Organisation
    8Mx16
  • Zahl der internen Banken
    4
  • Anzahl der Worte pro Bank
    2M
  • Anzahl der Bits pro Wort (bit)
    16
  • Datenbusbreite (bit)
    16
  • Max. Taktfrequenz (MHz)
    166
  • Max. Zugriffzeit (ns)
    6
  • Adressbusbreite (bit)
    14
  • Schnittstellenart
    LVCMOS
  • Mindestbetriebsspannung (V)
    1.7
  • Max. Betriebsversorgungsspannung (V)
    1.95
  • Max. Betriebsstrom (mA)
    80
  • Mindestbetriebstemperatur (°C)
    0
  • Max. Betriebstemperatur (°C)
    70
  • Temperaturbereich Lieferant
    Commercial
  • Anzahl der E/A-Leitungen (bit)
    16
  • Befestigung
    Surface Mount
  • Verpackungshöhe
    0.7(Max)
  • Verpackungsbreite
    8
  • Verpackungslänge
    10
  • Leiterplatte geändert
    60
  • Standard-Verpackungsname
    BGA
  • Lieferantenverpackung
    TFBGA
  • Stiftanzahl
    60
  • Leitungsform
    Ball

Dokumentation und Ressourcen

Datenblätter
Design-Ressourcen