DRAM
IS43LR16800G-6BL
DRAM Chip DDR SDRAM 128Mbit 8Mx16 1.8V 60-Pin TFBGA
Integrated Silicon Solution IncProduktspezifikationen
RoHS EU
Compliant
ECCN (USA)
EAR99
Part Status
Active
HTS
8542.32.00.02
Automotive
No
PPAP
No
Typ
DDR SDRAM
Dichte (bit)
128M
Organisation
8Mx16
Zahl der internen Banken
4
Anzahl der Worte pro Bank
2M
Anzahl der Bits pro Wort (bit)
16
Datenbusbreite (bit)
16
Max. Taktfrequenz (MHz)
166
Max. Zugriffzeit (ns)
6
Adressbusbreite (bit)
14
Schnittstellenart
LVCMOS
Mindestbetriebsspannung (V)
1.7
Max. Betriebsversorgungsspannung (V)
1.95
Max. Betriebsstrom (mA)
80
Mindestbetriebstemperatur (°C)
0
Max. Betriebstemperatur (°C)
70
Temperaturbereich Lieferant
Commercial
Anzahl der E/A-Leitungen (bit)
16
Befestigung
Surface Mount
Verpackungshöhe
0.7(Max)
Verpackungsbreite
8
Verpackungslänge
10
Leiterplatte geändert
60
Standard-Verpackungsname
BGA
Lieferantenverpackung
TFBGA
Stiftanzahl
60
Leitungsform
Ball