DRAM
IS43DR16320E-25DBL
DRAM Chip DDR2 SDRAM 512Mbit 32Mx16 1.8V 84-Pin TW-BGA
Integrated Silicon Solution IncProduktspezifikationen
RoHS EU
Compliant
ECCN (USA)
EAR99
Part Status
Active
HTS
8542.32.00.28
Automotive
No
PPAP
No
Typ
DDR2 SDRAM
Dichte (bit)
512M
Organisation
32Mx16
Zahl der internen Banken
4
Anzahl der Worte pro Bank
8M
Anzahl der Bits pro Wort (bit)
16
Datenbusbreite (bit)
16
Max. Taktfrequenz (MHz)
800
Max. Zugriffzeit (ns)
0.4
Adressbusbreite (bit)
15
Schnittstellenart
SSTL_18
Mindestbetriebsspannung (V)
1.7
Max. Betriebsversorgungsspannung (V)
1.9
Max. Betriebsstrom (mA)
205
Mindestbetriebstemperatur (°C)
0
Max. Betriebstemperatur (°C)
85
Temperaturbereich Lieferant
Commercial
Anzahl der E/A-Leitungen (bit)
16
Befestigung
Surface Mount
Verpackungshöhe
1(Max) mm
Verpackungsbreite
8 mm
Verpackungslänge
12.5 mm
Leiterplatte geändert
84
Standard-Verpackungsname
BGA
Lieferantenverpackung
TW-BGA
Stiftanzahl
84
Leitungsform
Ball