DRAM

IS42SM32400H-6BLI

DRAM Chip Mobile SDRAM 128Mbit 4Mx32 3.3V 90-Pin TFBGA

Integrated Silicon Solution Inc

Produktspezifikationen

• RoHS EU

  Compliant

• ECCN (USA)

  EAR99

• Part Status

  Active

• HTS

  8542.32.00.02

• Automotive

  No

• PPAP

  No

• Typ

  Mobile SDRAM

• Dichte (bit)

  128M

• Organisation

  4Mx32

• Zahl der internen Banken

  4

• Anzahl der Worte pro Bank

  1M

• Anzahl der Bits pro Wort (bit)

  32

• Datenbusbreite (bit)

  32

• Max. Taktfrequenz (MHz)

  166

• Max. Zugriffzeit (ns)

  6

• Adressbusbreite (bit)

  14

• Schnittstellenart

  LVCMOS

• Mindestbetriebsspannung (V)

  2.7

• Max. Betriebsversorgungsspannung (V)

  3.6

• Max. Betriebsstrom (mA)

  85

• Mindestbetriebstemperatur (°C)

  -40

• Max. Betriebstemperatur (°C)

  85

• Temperaturbereich Lieferant

  Industrial

• Anzahl der E/A-Leitungen (bit)

  32

• Befestigung

  Surface Mount

• Verpackungshöhe

  0.8(Max)

• Verpackungsbreite

  8

• Verpackungslänge

  13

• Leiterplatte geändert

  90

• Standard-Verpackungsname

  BGA

• Lieferantenverpackung

  TFBGA

• Stiftanzahl

  90

• Leitungsform

  Ball