DRAM

IS42S32800J-6TL

DRAM Chip SDRAM 256Mbit 8Mx32 3.3V 86-Pin TSOP-II

Integrated Silicon Solution Inc
Datenblätter 

Produktspezifikationen
  • RoHS EU
    Compliant
  • ECCN (USA)
    EAR99
  • Part Status
    LTB
  • HTS
    8542.32.00.24
  • Automotive
    No
  • PPAP
    No
  • Typ
    SDRAM
  • Dichte (bit)
    256M
  • Organisation
    8Mx32
  • Zahl der internen Banken
    4
  • Anzahl der Worte pro Bank
    2M
  • Anzahl der Bits pro Wort (bit)
    32
  • Datenbusbreite (bit)
    32
  • Max. Taktfrequenz (MHz)
    166
  • Max. Zugriffzeit (ns)
    6.5|5.4
  • Adressbusbreite (bit)
    14
  • Prozesstechnologie
    63nm
  • Schnittstellenart
    LVTTL
  • Mindestbetriebsspannung (V)
    3
  • Max. Betriebsversorgungsspannung (V)
    3.6
  • Max. Betriebsstrom (mA)
    190
  • Mindestbetriebstemperatur (°C)
    0
  • Max. Betriebstemperatur (°C)
    70
  • Temperaturbereich Lieferant
    Commercial
  • Anzahl der E/A-Leitungen (bit)
    32
  • Befestigung
    Surface Mount
  • Verpackungshöhe
    1.05(Max)
  • Verpackungsbreite
    10.29(Max)
  • Verpackungslänge
    22.42(Max)
  • Leiterplatte geändert
    86
  • Standard-Verpackungsname
    SO
  • Lieferantenverpackung
    TSOP-II
  • Stiftanzahl
    86

Dokumentation und Ressourcen

Datenblätter
Design-Ressourcen