DRAM

IS42S32160F-6TLI

DRAM Chip SDRAM 512Mbit 16Mx32 3.3V 86-Pin TSOP-II

Integrated Silicon Solution Inc

Produktspezifikationen

• RoHS EU

  Compliant

• ECCN (USA)

  EAR99

• Part Status

  LTB

• HTS

  8542.32.00.28

• Automotive

  No

• PPAP

  No

• Typ

  SDRAM

• Dichte (bit)

  512M

• Organisation

  16Mx32

• Zahl der internen Banken

  4

• Anzahl der Worte pro Bank

  4M

• Anzahl der Bits pro Wort (bit)

  32

• Datenbusbreite (bit)

  32

• Max. Taktfrequenz (MHz)

  167

• Max. Zugriffzeit (ns)

  5.4|6

• Adressbusbreite (bit)

  15

• Schnittstellenart

  LVTTL

• Mindestbetriebsspannung (V)

  3

• Max. Betriebsversorgungsspannung (V)

  3.6

• Max. Betriebsstrom (mA)

  245

• Mindestbetriebstemperatur (°C)

  -40

• Max. Betriebstemperatur (°C)

  85

• Temperaturbereich Lieferant

  Industrial

• Anzahl der E/A-Leitungen (bit)

  32

• Befestigung

  Surface Mount

• Verpackungshöhe

  1.05(Max)

• Verpackungsbreite

  10.29(Max)

• Verpackungslänge

  22.42(Max)

• Leiterplatte geändert

  86

• Standard-Verpackungsname

  SO

• Lieferantenverpackung

  TSOP-II

• Stiftanzahl

  86