DRAM

IS42S16320F-7BLI-TR

DRAM Chip SDRAM 512Mbit 32Mx16 3.3V 54-Pin TWBGA T/R

Integrated Silicon Solution Inc

Produktspezifikationen

• RoHS EU

  Compliant

• ECCN (USA)

  EAR99

• Part Status

  Active

• HTS

  8542.32.00.28

• Automotive

  No

• PPAP

  No

• Typ

  SDRAM

• Dichte (bit)

  512M

• Organisation

  32Mx16

• Zahl der internen Banken

  4

• Anzahl der Worte pro Bank

  8M

• Anzahl der Bits pro Wort (bit)

  16

• Datenbusbreite (bit)

  16

• Max. Taktfrequenz (MHz)

  143

• Max. Zugriffzeit (ns)

  5.4

• Adressbusbreite (bit)

  15

• Prozesstechnologie

  63nm

• Schnittstellenart

  LVTTL

• Mindestbetriebsspannung (V)

  3

• Max. Betriebsversorgungsspannung (V)

  3.6

• Max. Betriebsstrom (mA)

  150

• Mindestbetriebstemperatur (°C)

  -40

• Max. Betriebstemperatur (°C)

  85

• Temperaturbereich Lieferant

  Industrial

• Anzahl der E/A-Leitungen (bit)

  16

• Verpackung

  Tape and Reel

• Befestigung

  Surface Mount

• Verpackungshöhe

  0.15 + 0.8(Max)

• Verpackungsbreite

  8

• Verpackungslänge

  13

• Leiterplatte geändert

  54

• Standard-Verpackungsname

  BGA

• Lieferantenverpackung

  TWBGA

• Stiftanzahl

  54