Produktspezifikationen
RoHS EU
Compliant with Exemption
ECCN (USA)
EAR99
Part Status
Active
HTS
COMPONENTS
SVHC
Yes
SVHC überschreitet Schwellenwert
Yes
Automotive
No
PPAP
No
Kategorie
Power MOSFET
Material
Si
Konfiguration
Single
Kanalmodus
Enhancement
Kanalart
N
Anzahl von Elementen pro Chip
1
Max. Drain-Source-Spannung (V)
60
Max. Gate-Source-Spannung (V)
±10
Max. Gate-Schwellwertspannung (V)
2
Max. Dauer-Drain-Strom (A)
10
Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm)
200@5V
Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC)
8.4(Max)@5V
Typische Gate-Drain-Ladung (nC)
6(Max)
Typische Gate-Source-Ladung (nC)
3.5(Max)
Typische Umkehr-Erholungsladung (nC)
340
Typische Eingangskapazität bei Vds (pF)
400@25V
Typische Ausgangskapazität (pF)
170
Max. Leistungsaufnahme (mW)
3700
Typische Abfallzeit (ns)
26
Typische Anstiegszeit (ns)
110
Typische Abschaltverzögerungszeit (ns)
17
Typische Einschaltverzögerungszeit (ns)
9.3
Mindestbetriebstemperatur (°C)
-55
Max. Betriebstemperatur (°C)
175
Befestigung
Surface Mount
Verpackungshöhe
4.83(Max)
Verpackungsbreite
9.65(Max)
Verpackungslänge
10.41(Max)
Leiterplatte geändert
2
Tab
Tab
Standard-Verpackungsname
TO
Lieferantenverpackung
D2PAK
Stiftanzahl
3
Bestellmenge