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MOSFETs

IRLR3110ZTRLPBF

Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Infineon Technologies AG
Datenblätter 

Produktspezifikationen
  • RoHS EU
    Compliant with Exemption
  • ECCN (USA)
    EAR99
  • Part Status
    Obsolete
  • HTS
    COMPONENTS
  • SVHC
    Yes
  • SVHC überschreitet Schwellenwert
    Yes
  • Automotive
    No
  • PPAP
    No
  • Kategorie
    Power MOSFET
  • Material
    Si
  • Konfiguration
    Single
  • Kanalmodus
    Enhancement
  • Kanalart
    N
  • Anzahl von Elementen pro Chip
    1
  • Max. Drain-Source-Spannung (V)
    100
  • Max. Gate-Source-Spannung (V)
    ±16
  • Max. Dauer-Drain-Strom (A)
    63
  • Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm)
    14@10V
  • Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC)
    34@4.5V
  • Typische Gate-Drain-Ladung (nC)
    15
  • Typische Eingangskapazität bei Vds (pF)
    3980@25V
  • Max. Leistungsaufnahme (mW)
    140000
  • Typische Abfallzeit (ns)
    48
  • Typische Anstiegszeit (ns)
    110
  • Typische Abschaltverzögerungszeit (ns)
    33
  • Typische Einschaltverzögerungszeit (ns)
    24
  • Mindestbetriebstemperatur (°C)
    -55
  • Max. Betriebstemperatur (°C)
    175
  • Verpackung
    Tape and Reel
  • Typischer Drain-Source-Widerstand bei 25 °C (mOhm)
    11@10V|12@4.5V
  • Befestigung
    Surface Mount
  • Verpackungshöhe
    2.39(Max)
  • Verpackungsbreite
    6.22(Max)
  • Verpackungslänge
    6.73(Max)
  • Leiterplatte geändert
    2
  • Tab
    Tab
  • Standard-Verpackungsname
    TO
  • Lieferantenverpackung
    DPAK
  • Stiftanzahl
    3
  • Leitungsform
    Gull-wing
Bestellmenge

Dokumentation und Ressourcen

Datenblätter
Design-Ressourcen