Produktspezifikationen
RoHS EU
Compliant
Part Status
Active
SVHC
Yes
Automotive
No
PPAP
No
Kategorie
Power MOSFET
Konfiguration
Single
Prozesstechnologie
HEXFET
Kanalmodus
Enhancement
Kanalart
N
Anzahl von Elementen pro Chip
1
Max. Drain-Source-Spannung (V)
60
Max. Gate-Source-Spannung (V)
±16
Max. Gate-Schwellwertspannung (V)
2.5
Operating Junction Temperature (°C)
-55 to 150
Max. Dauer-Drain-Strom (A)
2.7
Max. Gate-Source-Leckstrom (nA)
100
Max. Drain-Abschaltstrom (IDSS) (uA)
20
Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm)
92@10V
Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC)
2.5@4.5V
Typische Gate-Drain-Ladung (nC)
1.3
Typische Gate-Source-Ladung (nC)
0.7
Typische Umkehr-Erholungsladung (nC)
13
Typische Eingangskapazität bei Vds (pF)
290@25V
Typische Rückübertragungskapazität bei Vds (pF)
21@25V
Mindest-Gate-Schwellwertspannung (V)
1
Typische Ausgangskapazität (pF)
37
Max. Leistungsaufnahme (mW)
1250
Typische Abfallzeit (ns)
4.2
Typische Anstiegszeit (ns)
6.3
Typische Abschaltverzögerungszeit (ns)
6.8
Typische Einschaltverzögerungszeit (ns)
5.4
Mindestbetriebstemperatur (°C)
-55
Max. Betriebstemperatur (°C)
150
Verpackung
Tape and Reel
Typischer Drain-Source-Widerstand bei 25 °C (mOhm)
78@10V|98@4.5V
Max. gepulster Drain-Strombereich bei TC = 25 °C (A)
11
Max. thermischer Widerstand, Sperrschichtumgebung auf Leiterplatte (°C/W)
100
Typische Gate-Plateau-Spannung (V)
3.5
Typische Sperrerholungszeit (ns)
14
Max. Dioden-Durchlassspannung (V)
1.3
Max. positive Gate-Source-Spannung (V)
16