Produktspezifikationen
RoHS EU
Compliant
ECCN (USA)
EAR99
Part Status
Obsolete
HTS
COMPONENTS
Automotive
No
PPAP
No
Kategorie
Power MOSFET
Material
Si
Konfiguration
Single
Kanalmodus
Enhancement
Kanalart
P
Anzahl von Elementen pro Chip
1
Max. Drain-Source-Spannung (V)
55
Max. Gate-Source-Spannung (V)
±20
Max. Gate-Schwellwertspannung (V)
1
Max. Dauer-Drain-Strom (A)
14
Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm)
105@10V
Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC)
31@10V
Typische Gate-Ladung bei 10 V (nC)
31
Typische Eingangskapazität bei Vds (pF)
660@50V
Max. Leistungsaufnahme (mW)
33000
Typische Abfallzeit (ns)
9.5
Typische Anstiegszeit (ns)
24
Typische Abschaltverzögerungszeit (ns)
21
Typische Einschaltverzögerungszeit (ns)
9.5
Mindestbetriebstemperatur (°C)
-40
Max. Betriebstemperatur (°C)
175
Verpackung
Tube
Typischer Drain-Source-Widerstand bei 25 °C (mOhm)
93@10V|150@4.5V
Befestigung
Through Hole
Verpackungshöhe
16(Max)
Verpackungsbreite
4.8(Max)
Verpackungslänge
10.6(Max)
Leiterplatte geändert
3
Tab
Tab
Standard-Verpackungsname
TO
Lieferantenverpackung
TO-220FP
Stiftanzahl
3
Leitungsform
Through Hole