Produktspezifikationen
RoHS EU
Compliant
ECCN (USA)
EAR99
Part Status
Active
HTS
COMPONENTS
Automotive
No
PPAP
No
Kategorie
Power MOSFET
Konfiguration
Single Quad Drain
Kanalmodus
Enhancement
Kanalart
N
Anzahl von Elementen pro Chip
1
Max. Drain-Source-Spannung (V)
20
Max. Gate-Source-Spannung (V)
±12
Max. Gate-Schwellwertspannung (V)
1.1
Operating Junction Temperature (°C)
-55 to 150
Max. Dauer-Drain-Strom (A)
10
Max. Gate-Source-Leckstrom (nA)
100
Max. Drain-Abschaltstrom (IDSS) (uA)
1
Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm)
11.7@4.5V
Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC)
14@4.5V
Typische Gate-Drain-Ladung (nC)
6.3
Typische Gate-Source-Ladung (nC)
1.5
Typische Umkehr-Erholungsladung (nC)
12
Typische Eingangskapazität bei Vds (pF)
1110@10V
Typische Rückübertragungskapazität bei Vds (pF)
180@10V
Mindest-Gate-Schwellwertspannung (V)
0.5
Typische Ausgangskapazität (pF)
260
Max. Leistungsaufnahme (mW)
1980
Typische Abfallzeit (ns)
13
Typische Anstiegszeit (ns)
15
Typische Abschaltverzögerungszeit (ns)
19
Typische Einschaltverzögerungszeit (ns)
5.8
Mindestbetriebstemperatur (°C)
-55
Max. Betriebstemperatur (°C)
150
Verpackung
Tape and Reel
Typischer Drain-Source-Widerstand bei 25 °C (mOhm)
9.4@4.5V|12.4@2.5V
Max. gepulster Drain-Strombereich bei TC = 25 °C (A)
88
Max. thermischer Widerstand, Sperrschichtumgebung auf Leiterplatte (°C/W)
63
Typische Gate-Plateau-Spannung (V)
1.8
Typische Sperrerholungszeit (ns)
15
Max. Dioden-Durchlassspannung (V)
1.2
Typische Gate-Schwellwertspannung (V)
0.8
Max. positive Gate-Source-Spannung (V)
12
Befestigung
Surface Mount
Verpackungshöhe
0.87
Verpackungsbreite
2
Verpackungslänge
2
Leiterplatte geändert
6
Standard-Verpackungsname
SON
Lieferantenverpackung
TSDSON EP
Stiftanzahl
6
Leitungsform
No Lead