MOSFETs

IRFB3207PBF

Trans MOSFET N-CH 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

Infineon Technologies AG

Produktspezifikationen

• RoHS EU

  Compliant with Exemption

• ECCN (USA)

  EAR99

• Part Status

  LTB

• HTS

  8541.29.00.55

• SVHC

  Yes

• SVHC überschreitet Schwellenwert

  Yes

• Automotive

  No

• PPAP

  No

• Kategorie

  Power MOSFET

• Konfiguration

  Single

• Kanalmodus

  Enhancement

• Kanalart

  N

• Anzahl von Elementen pro Chip

  1

• Max. Drain-Source-Spannung (V)

  75

• Max. Gate-Source-Spannung (V)

  ±20

• Max. Gate-Schwellwertspannung (V)

  4

• Max. Dauer-Drain-Strom (A)

  170

• Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm)

  4.5@10V

• Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC)

  180@10V

• Typische Gate-Ladung bei 10 V (nC)

  180

• Typische Eingangskapazität bei Vds (pF)

  7600@50V

• Max. Leistungsaufnahme (mW)

  300000

• Typische Abfallzeit (ns)

  74

• Typische Anstiegszeit (ns)

  120

• Typische Abschaltverzögerungszeit (ns)

  68

• Typische Einschaltverzögerungszeit (ns)

  29

• Mindestbetriebstemperatur (°C)

  -55

• Max. Betriebstemperatur (°C)

  175

• Verpackung

  Tube

• Typischer Drain-Source-Widerstand bei 25 °C (mOhm)

  3.6@10V

• Befestigung

  Through Hole

• Verpackungshöhe

  9.02(Max)

• Verpackungsbreite

  4.83(Max)

• Verpackungslänge

  10.67(Max)

• Leiterplatte geändert

  3

• Tab

  Tab

• Standard-Verpackungsname

  TO

• Lieferantenverpackung

  TO-220AB

• Stiftanzahl

  3

• Leitungsform

  Through Hole