Produktspezifikationen
RoHS EU
Compliant
ECCN (USA)
EAR99
Part Status
Active
HTS
COMPONENTS
Automotive
No
PPAP
No
Kategorie
Power MOSFET
Material
Si
Konfiguration
Single Octal Source Hex Drain
Kanalmodus
Enhancement
Kanalart
N
Anzahl von Elementen pro Chip
1
Max. Drain-Source-Spannung (V)
150
Max. Gate-Source-Spannung (V)
±20
Max. Gate-Schwellwertspannung (V)
5
Max. Dauer-Drain-Strom (A)
11
Max. Gate-Source-Leckstrom (nA)
100
Max. Drain-Abschaltstrom (IDSS) (uA)
20
Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm)
11@10V
Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC)
97@10V
Typische Gate-Ladung bei 10 V (nC)
97
Typische Eingangskapazität bei Vds (pF)
6660@25V
Max. Leistungsaufnahme (mW)
3300
Typische Abfallzeit (ns)
12
Typische Anstiegszeit (ns)
19
Typische Abschaltverzögerungszeit (ns)
36
Typische Einschaltverzögerungszeit (ns)
16
Mindestbetriebstemperatur (°C)
-55
Max. Betriebstemperatur (°C)
175
Verpackung
Tape and Reel
Typischer Drain-Source-Widerstand bei 25 °C (mOhm)
9@10V
Befestigung
Surface Mount
Verpackungshöhe
0.49(Max)
Verpackungsbreite
9.15(Max)
Verpackungslänge
7.1(Max)
Leiterplatte geändert
15
Lieferantenverpackung
Direct-FET L8
Stiftanzahl
15
Leitungsform
No Lead
Bestellmenge