Produktspezifikationen
RoHS EU
Compliant with Exemption
ECCN (USA)
EAR99
Part Status
Active
HTS
8541.10.00.80
SVHC
Yes
SVHC überschreitet Schwellenwert
Yes
Automotive
No
PPAP
No
Kategorie
Power MOSFET
Konfiguration
Single
Kanalmodus
Enhancement
Kanalart
N
Anzahl von Elementen pro Chip
1
Max. Drain-Source-Spannung (V)
400
Max. Gate-Source-Spannung (V)
±20
Max. Gate-Schwellwertspannung (V)
4
Operating Junction Temperature (°C)
-55 to 150
Max. Dauer-Drain-Strom (A)
10
Max. Gate-Source-Leckstrom (nA)
100
Max. Drain-Abschaltstrom (IDSS) (uA)
25
Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm)
550@10V
Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC)
63(Max)@10V
Typische Gate-Ladung bei 10 V (nC)
63(Max)
Typische Gate-Drain-Ladung (nC)
32(Max)
Typische Gate-Source-Ladung (nC)
9(Max)
Typische Umkehr-Erholungsladung (nC)
3800
Typische Eingangskapazität bei Vds (pF)
1400@25V
Typische Rückübertragungskapazität bei Vds (pF)
120@25V
Mindest-Gate-Schwellwertspannung (V)
2
Typische Ausgangskapazität (pF)
330
Max. Leistungsaufnahme (mW)
3100
Typische Abfallzeit (ns)
24
Typische Anstiegszeit (ns)
27
Typische Abschaltverzögerungszeit (ns)
50
Typische Einschaltverzögerungszeit (ns)
14
Mindestbetriebstemperatur (°C)
-55
Max. Betriebstemperatur (°C)
150
Verpackung
Tape and Reel
Max. gepulster Drain-Strombereich bei TC = 25 °C (A)
40
Typische Sperrerholungszeit (ns)
370
Max. Dioden-Durchlassspannung (V)
2
Mindest-Gate-Widerstand (Ohm)
0.8
Max. Gate-Widerstand (Ohm)
5.9
Max. positive Gate-Source-Spannung (V)
20
Befestigung
Surface Mount
Verpackungshöhe
4.83(Max)
Verpackungsbreite
9.65(Max)
Verpackungslänge
10.41(Max)
Leiterplatte geändert
2
Tab
Tab
Standard-Verpackungsname
TO
Lieferantenverpackung
D2PAK
Stiftanzahl
3