Produktspezifikationen
RoHS EU
Compliant
ECCN (USA)
EAR99
Part Status
Active
HTS
8541.29.00.95
Automotive
No
PPAP
No
Kategorie
Power MOSFET
Konfiguration
Single
Prozesstechnologie
0.3um
Kanalmodus
Enhancement
Kanalart
N
Anzahl von Elementen pro Chip
1
Max. Drain-Source-Spannung (V)
250
Max. Gate-Source-Spannung (V)
±20
Max. Dauer-Drain-Strom (A)
8.1
Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm)
450@10V
Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC)
41(Max)@10V
Typische Gate-Ladung bei 10 V (nC)
41(Max)
Typische Eingangskapazität bei Vds (pF)
770@25V
Max. Leistungsaufnahme (mW)
74000
Typische Abfallzeit (ns)
19
Typische Anstiegszeit (ns)
21
Typische Abschaltverzögerungszeit (ns)
42
Typische Einschaltverzögerungszeit (ns)
9.6
Mindestbetriebstemperatur (°C)
-55
Max. Betriebstemperatur (°C)
150
Befestigung
Through Hole
Verpackungshöhe
9.01(Max)
Verpackungsbreite
4.7(Max)
Verpackungslänge
10.41(Max)
Leiterplatte geändert
3
Tab
Tab
Standard-Verpackungsname
TO
Lieferantenverpackung
TO-220AB
Stiftanzahl
3
Leitungsform
Through Hole