Produktspezifikationen
RoHS EU
Compliant
ECCN (USA)
EAR99
Part Status
NRND
HTS
8541.29.00.55
Automotive
No
PPAP
No
Kategorie
Power MOSFET
Konfiguration
Single
Kanalmodus
Enhancement
Kanalart
N
Anzahl von Elementen pro Chip
1
Max. Drain-Source-Spannung (V)
600
Max. Gate-Source-Spannung (V)
±20
Max. Gate-Schwellwertspannung (V)
3.5
Max. Dauer-Drain-Strom (A)
21
Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm)
165@10V
Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC)
39@10V
Typische Gate-Ladung bei 10 V (nC)
39
Typische Eingangskapazität bei Vds (pF)
2000@100V
Max. Leistungsaufnahme (mW)
192000
Typische Abfallzeit (ns)
5
Typische Anstiegszeit (ns)
5
Typische Abschaltverzögerungszeit (ns)
50
Typische Einschaltverzögerungszeit (ns)
12
Mindestbetriebstemperatur (°C)
-55
Max. Betriebstemperatur (°C)
150
Verpackung
Tube
Befestigung
Through Hole
Verpackungshöhe
9.25
Verpackungsbreite
4.4
Verpackungslänge
10
Leiterplatte geändert
3
Tab
Tab
Standard-Verpackungsname
TO
Lieferantenverpackung
TO-262
Stiftanzahl
3
Bestellmenge