MOSFETs

IPD60R950C6ATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 4.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Infineon Technologies AG

Produktspezifikationen

• RoHS EU

  Compliant with Exemption

• ECCN (USA)

  EAR99

• Part Status

  NRND

• HTS

  8541.29.00.55

• SVHC

  Yes

• SVHC überschreitet Schwellenwert

  Yes

• Automotive

  No

• PPAP

  No

• Kategorie

  Power MOSFET

• Konfiguration

  Single

• Kanalmodus

  Enhancement

• Kanalart

  N

• Anzahl von Elementen pro Chip

  1

• Max. Drain-Source-Spannung (V)

  600

• Max. Gate-Source-Spannung (V)

  20

• Max. Gate-Schwellwertspannung (V)

  3.5

• Max. Dauer-Drain-Strom (A)

  4.4

• Max. Gate-Source-Leckstrom (nA)

  100

• Max. Drain-Abschaltstrom (IDSS) (uA)

  1

• Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm)

  950@10V

• Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC)

  13@10V

• Typische Gate-Ladung bei 10 V (nC)

  13

• Typische Eingangskapazität bei Vds (pF)

  280@100V

• Max. Leistungsaufnahme (mW)

  37000

• Typische Abfallzeit (ns)

  13

• Typische Anstiegszeit (ns)

  8

• Typische Abschaltverzögerungszeit (ns)

  60

• Typische Einschaltverzögerungszeit (ns)

  10

• Mindestbetriebstemperatur (°C)

  -55

• Max. Betriebstemperatur (°C)

  150

• Verpackung

  Tape and Reel

• Typischer Drain-Source-Widerstand bei 25 °C (mOhm)

  860@10V

• Max. gepulster Drain-Strombereich bei TC = 25 °C (A)

  12

• Befestigung

  Surface Mount

• Verpackungshöhe

  2.41(Max)

• Verpackungsbreite

  6.22(Max)

• Verpackungslänge

  6.73(Max)

• Leiterplatte geändert

  2

• Tab

  Tab

• Standard-Verpackungsname

  TO

• Lieferantenverpackung

  DPAK

• Stiftanzahl

  3

• Leitungsform

  Gull-wing