Produktspezifikationen
RoHS EU
Compliant with Exemption
ECCN (USA)
EAR99
Part Status
Active
HTS
IPB320N20N3GATMA1
SVHC
Yes
SVHC überschreitet Schwellenwert
Yes
Automotive
No
PPAP
No
Kategorie
Power MOSFET
Konfiguration
Single
Kanalmodus
Enhancement
Kanalart
N
Anzahl von Elementen pro Chip
1
Max. Drain-Source-Spannung (V)
200
Max. Gate-Source-Spannung (V)
±20
Max. Gate-Schwellwertspannung (V)
4
Operating Junction Temperature (°C)
-55 to 175
Max. Dauer-Drain-Strom (A)
34
Max. Gate-Source-Leckstrom (nA)
100
Max. Drain-Abschaltstrom (IDSS) (uA)
1
Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm)
32@10V
Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC)
22@10V
Typische Gate-Ladung bei 10 V (nC)
22
Typische Gate-Drain-Ladung (nC)
3
Typische Gate-Source-Ladung (nC)
8
Typische Umkehr-Erholungsladung (nC)
500
Typische Schaltladung (nC)
5
Typische Eingangskapazität bei Vds (pF)
1770@100V
Typische Rückübertragungskapazität bei Vds (pF)
4@100V
Mindest-Gate-Schwellwertspannung (V)
2
Typische Ausgangskapazität (pF)
135
Max. Leistungsaufnahme (mW)
136000
Typische Abfallzeit (ns)
4
Typische Anstiegszeit (ns)
9
Typische Abschaltverzögerungszeit (ns)
21
Typische Einschaltverzögerungszeit (ns)
11
Mindestbetriebstemperatur (°C)
-55
Max. Betriebstemperatur (°C)
175
Verpackung
Tape and Reel
Typischer Drain-Source-Widerstand bei 25 °C (mOhm)
28@10V
Max. gepulster Drain-Strombereich bei TC = 25 °C (A)
136
Max. thermischer Widerstand, Sperrschichtumgebung auf Leiterplatte (°C/W)
40
Typische Dioden-Durchlassspannung (V)
0.9
Typische Gate-Plateau-Spannung (V)
4.4
Typische Sperrerholungszeit (ns)
110
Max. Dioden-Durchlassspannung (V)
1.2
Typische Gate-Schwellwertspannung (V)
3
Max. positive Gate-Source-Spannung (V)
20
Befestigung
Surface Mount
Verpackungshöhe
4.4
Verpackungsbreite
9.25
Verpackungslänge
10
Leiterplatte geändert
2
Tab
Tab
Standard-Verpackungsname
TO
Lieferantenverpackung
D2PAK
Stiftanzahl
3
Leitungsform
Gull-wing
Bestellmenge