Produktspezifikationen
RoHS EU
Compliant
ECCN (USA)
EAR99
Part Status
Active
HTS
8541.29.00.55
Automotive
No
PPAP
No
Kategorie
Power MOSFET
Konfiguration
Single
Kanalmodus
Enhancement
Kanalart
N
Anzahl von Elementen pro Chip
1
Max. Drain-Source-Spannung (V)
60
Max. Gate-Source-Spannung (V)
20
Max. Gate-Schwellwertspannung (V)
3.3
Max. Dauer-Drain-Strom (A)
84
Max. Gate-Source-Leckstrom (nA)
100
Max. Drain-Abschaltstrom (IDSS) (uA)
1
Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm)
2.9@10V
Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC)
56@10V
Typische Gate-Ladung bei 10 V (nC)
56
Typische Eingangskapazität bei Vds (pF)
4100@30V
Max. Leistungsaufnahme (mW)
38000
Typische Abfallzeit (ns)
11
Typische Anstiegszeit (ns)
15
Typische Abschaltverzögerungszeit (ns)
30
Typische Einschaltverzögerungszeit (ns)
16
Mindestbetriebstemperatur (°C)
-55
Max. Betriebstemperatur (°C)
175
Verpackung
Tube
Typischer Drain-Source-Widerstand bei 25 °C (mOhm)
2.6@10V|3@6V
Befestigung
Through Hole
Verpackungshöhe
16
Verpackungsbreite
4.7
Verpackungslänge
10.5
Leiterplatte geändert
3
Tab
Tab
Standard-Verpackungsname
TO
Lieferantenverpackung
TO-220FP
Stiftanzahl
3
Leitungsform
Through Hole