IGBT-Chip

IKP15N60TXKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 26A 130W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

Infineon Technologies AG

Produktspezifikationen

• RoHS EU

  Compliant

• ECCN (USA)

  EAR99

• Part Status

  Obsolete

• HTS

  COMPONENTS

• Automotive

  Yes

• PPAP

  Unknown

• Kanalart

  N

• Konfiguration

  Single

• Max. Gate-Emitter-Spannung (V)

  ±20

• Max. Kollektor-Emitterspannung (V)

  600

• Typische Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (V)

  1.5

• Max. Kollektordauerstrom (A)

  26

• Max. Gate-Emitter-Leckstrom (uA)

  0.1

• Max. Leistungsaufnahme (mW)

  130

• Mindestbetriebstemperatur (°C)

  -40

• Max. Betriebstemperatur (°C)

  175

• Verpackung

  Tube

• Befestigung

  Through Hole

• Verpackungshöhe

  9.25

• Verpackungsbreite

  4.4

• Verpackungslänge

  10

• Leiterplatte geändert

  3

• Tab

  Tab

• Standard-Verpackungsname

  TO

• Lieferantenverpackung

  TO-220AB

• Stiftanzahl

  3

• Leitungsform

  Through Hole