MOSFETs

IGT60R190D1SATMA1

Enhancement-Mode Power GaN Transistor

Infineon Technologies AG

Produktspezifikationen

• RoHS EU

  Compliant with Exemption

• ECCN (USA)

  EAR99

• Part Status

  Obsolete

• HTS

  8541.29.00.55

• SVHC

  Yes

• SVHC überschreitet Schwellenwert

  Yes

• Automotive

  No

• PPAP

  No

• Anzahl von Elementen pro Chip

  1

• Verpackung

  Tape and Reel

• Befestigung

  Surface Mount

• Verpackungshöhe

  2.3

• Verpackungsbreite

  10.38

• Verpackungslänge

  9.9

• Leiterplatte geändert

  8

• Tab

  Tab

• Standard-Verpackungsname

  SO

• Lieferantenverpackung

  HSOF

• Stiftanzahl

  9