IGBT-Chip

IGD01N120H2BUMA1

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 3.2A 28W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Infineon Technologies AG

Produktspezifikationen

• RoHS EU

  Compliant with Exemption

• ECCN (USA)

  EAR99

• Part Status

  Obsolete

• HTS

  IGD01N120H2BUMA1

• SVHC

  Yes

• SVHC überschreitet Schwellenwert

  Yes

• Automotive

  No

• PPAP

  No

• Kanalart

  N

• Konfiguration

  Single

• Max. Gate-Emitter-Spannung (V)

  ±20

• Max. Kollektor-Emitterspannung (V)

  1200

• Typische Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (V)

  2.4

• Max. Kollektordauerstrom (A)

  3.2

• Max. Gate-Emitter-Leckstrom (uA)

  0.04

• Max. Leistungsaufnahme (mW)

  28

• Mindestbetriebstemperatur (°C)

  -40

• Max. Betriebstemperatur (°C)

  150

• Verpackung

  Tape and Reel

• Befestigung

  Surface Mount

• Verpackungshöhe

  2.3 mm

• Verpackungsbreite

  6.22 mm

• Verpackungslänge

  6.5 mm

• Leiterplatte geändert

  2

• Tab

  Tab

• Standard-Verpackungsname

  TO

• Lieferantenverpackung

  DPAK

• Stiftanzahl

  3