MOSFETs

IAUCN10S7L180ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 39A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101

Infineon Technologies AG

Produktspezifikationen

• RoHS EU

  Compliant with Exemption

• ECCN (USA)

  EAR99

• Part Status

  Active

• HTS

  8541.29.00.55

• SVHC

  Yes

• SVHC überschreitet Schwellenwert

  Yes

• Automotive

  Yes

• PPAP

  Unknown

• Kategorie

  Power MOSFET

• Konfiguration

  Single Quad Drain Triple Source

• Kanalmodus

  Enhancement

• Kanalart

  N

• Anzahl von Elementen pro Chip

  1

• Max. Drain-Source-Spannung (V)

  100

• Max. Gate-Source-Spannung (V)

  ±20

• Operating Junction Temperature (°C)

  -55 to 175

• Max. Dauer-Drain-Strom (A)

  39

• Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm)

  18@10V

• Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC)

  11@10V

• Typische Gate-Ladung bei 10 V (nC)

  11

• Typische Eingangskapazität bei Vds (pF)

  668@50V

• Max. Leistungsaufnahme (mW)

  58000

• Typische Abfallzeit (ns)

  6

• Typische Anstiegszeit (ns)

  2

• Typische Abschaltverzögerungszeit (ns)

  8.1

• Typische Einschaltverzögerungszeit (ns)

  3.1

• Mindestbetriebstemperatur (°C)

  -55

• Max. Betriebstemperatur (°C)

  175

• Temperaturbereich Lieferant

  Automotive

• Befestigung

  Surface Mount

• Verpackungshöhe

  1

• Verpackungsbreite

  5.48

• Verpackungslänge

  5.15

• Leiterplatte geändert

  8

• Lieferantenverpackung

  TDSON EP

• Stiftanzahl

  8