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IGBT-Chip

FGH75T65SQDT-F155

Trans IGBT Chip N-CH 650V 150A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

onsemi
Datenblätter 

Produktspezifikationen
  • RoHS EU
    Compliant with Exemption
  • ECCN (USA)
    EAR99
  • Part Status
    Active
  • HTS
    EA
  • SVHC
    Yes
  • SVHC überschreitet Schwellenwert
    Yes
  • Automotive
    No
  • PPAP
    No
  • Technologie
    Field Stop
  • Kanalart
    N
  • Konfiguration
    Single
  • Max. Gate-Emitter-Spannung (V)
    ±20
  • Max. Kollektor-Emitterspannung (V)
    650
  • Typische Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (V)
    1.6
  • Max. Kollektordauerstrom (A)
    150
  • Max. Gate-Emitter-Leckstrom (uA)
    0.4
  • Max. Leistungsaufnahme (mW)
    375
  • Mindestbetriebstemperatur (°C)
    -55
  • Max. Betriebstemperatur (°C)
    175
  • Verpackung
    Tube
  • Befestigung
    Through Hole
  • Verpackungshöhe
    20.57
  • Verpackungsbreite
    4.7
  • Verpackungslänge
    15.62
  • Leiterplatte geändert
    3
  • Tab
    Tab
  • Standard-Verpackungsname
    TO
  • Lieferantenverpackung
    TO-247
  • Stiftanzahl
    3
  • Leitungsform
    Through Hole

Dokumentation und Ressourcen

Datenblätter
Design-Ressourcen