Produktspezifikationen
RoHS EU
Compliant with Exemption
ECCN (USA)
EAR99
Part Status
Active
HTS
8541.29.00.55
SVHC
Yes
SVHC überschreitet Schwellenwert
Yes
Automotive
No
PPAP
No
Kategorie
Power MOSFET
Material
Si
Konfiguration
Single
Kanalmodus
Enhancement
Kanalart
N
Anzahl von Elementen pro Chip
1
Max. Drain-Source-Spannung (V)
150
Max. Gate-Source-Spannung (V)
±20
Max. Gate-Schwellwertspannung (V)
4
Operating Junction Temperature (°C)
-55 to 150
Max. Dauer-Drain-Strom (A)
26
Max. Gate-Source-Leckstrom (nA)
100
Max. Drain-Abschaltstrom (IDSS) (uA)
1
Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm)
40@10V
Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC)
14.3@10V
Typische Gate-Ladung bei 10 V (nC)
14.3
Typische Gate-Drain-Ladung (nC)
3.5
Typische Gate-Source-Ladung (nC)
5
Typische Umkehr-Erholungsladung (nC)
131
Typische Eingangskapazität bei Vds (pF)
965@75V
Typische Rückübertragungskapazität bei Vds (pF)
5.8@75V
Mindest-Gate-Schwellwertspannung (V)
2
Typische Ausgangskapazität (pF)
96
Max. Leistungsaufnahme (mW)
63000
Typische Abfallzeit (ns)
5
Typische Anstiegszeit (ns)
10
Typische Abschaltverzögerungszeit (ns)
20
Typische Einschaltverzögerungszeit (ns)
14
Mindestbetriebstemperatur (°C)
-55
Max. Betriebstemperatur (°C)
150
Verpackung
Tape and Reel
Typischer Drain-Source-Widerstand bei 25 °C (mOhm)
33.5@10V
Max. gepulster Drain-Strombereich bei TC = 25 °C (A)
104
Typische Gate-Plateau-Spannung (V)
5.3
Typische Sperrerholungszeit (ns)
63
Max. Dioden-Durchlassspannung (V)
1.25
Max. positive Gate-Source-Spannung (V)
20
Befestigung
Surface Mount
Verpackungshöhe
2.29
Verpackungsbreite
6.1
Verpackungslänge
6.54
Leiterplatte geändert
2
Tab
Tab
Standard-Verpackungsname
TO
Lieferantenverpackung
DPAK
Stiftanzahl
3
Leitungsform
Gull-wing
Bestellmenge