Produktspezifikationen
RoHS EU
Compliant
ECCN (USA)
EAR99
Part Status
Active
HTS
COMPONENTS
Automotive
No
PPAP
No
Kategorie
Power MOSFET
Konfiguration
Single Quad Drain
Prozesstechnologie
0.35um to 2um
Kanalmodus
Enhancement
Kanalart
N
Anzahl von Elementen pro Chip
1
Max. Drain-Source-Spannung (V)
30
Max. Gate-Source-Spannung (V)
±20
Max. Gate-Schwellwertspannung (V)
3
Operating Junction Temperature (°C)
-55 to 150
Max. Dauer-Drain-Strom (A)
6.3
Max. Gate-Source-Leckstrom (nA)
100
Max. Drain-Abschaltstrom (IDSS) (uA)
1
Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm)
25@10V
Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC)
5@5V|9@10V
Typische Gate-Ladung bei 10 V (nC)
9
Typische Gate-Drain-Ladung (nC)
1.6
Typische Gate-Source-Ladung (nC)
1.4
Typische Umkehr-Erholungsladung (nC)
4
Typische Eingangskapazität bei Vds (pF)
470@15V
Typische Rückübertragungskapazität bei Vds (pF)
60@15V
Mindest-Gate-Schwellwertspannung (V)
1
Typische Ausgangskapazität (pF)
100
Max. Leistungsaufnahme (mW)
1600
Typische Abfallzeit (ns)
2
Typische Anstiegszeit (ns)
2
Typische Abschaltverzögerungszeit (ns)
15
Typische Einschaltverzögerungszeit (ns)
6
Mindestbetriebstemperatur (°C)
-55
Max. Betriebstemperatur (°C)
150
Verpackung
Tape and Reel
Typischer Drain-Source-Widerstand bei 25 °C (mOhm)
21@10V|26@4.5V
Max. Leistungsaufnahme auf Leiterplatte bei TC = 25 °C (W)
1.6
Max. gepulster Drain-Strombereich bei TC = 25 °C (A)
20
Max. thermischer Widerstand, Sperrschichtumgebung auf Leiterplatte (°C/W)
156
Typische Dioden-Durchlassspannung (V)
0.8
Typische Gate-Plateau-Spannung (V)
2.9
Typische Sperrerholungszeit (ns)
15
Max. Dioden-Durchlassspannung (V)
1.2
Typische Gate-Schwellwertspannung (V)
1.9
Max. positive Gate-Source-Spannung (V)
20
Max. Dauer-Drain-Strombereich auf Leiterplatte bei TC = 25 °C (A)
6.3
Befestigung
Surface Mount
Verpackungshöhe
0.85
Verpackungsbreite
1.5
Verpackungslänge
2.95
Leiterplatte geändert
6
Standard-Verpackungsname
SOT
Lieferantenverpackung
TSOT-23
Stiftanzahl
6
Leitungsform
Gull-wing
Bestellmenge