MOSFETs

DMTH4014LPDQ-13

Trans MOSFET N-CH 40V 10.6A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R

Diodes Incorporated

Produktspezifikationen

• RoHS EU

  Compliant

• ECCN (USA)

  EAR99

• Part Status

  Active

• HTS

  COMPONENTS

• Automotive

  Yes

• PPAP

  Yes

• Kategorie

  Power MOSFET

• Konfiguration

  Dual Dual Drain

• Kanalmodus

  Enhancement

• Kanalart

  N

• Anzahl von Elementen pro Chip

  2

• Max. Drain-Source-Spannung (V)

  40

• Max. Gate-Source-Spannung (V)

  ±20

• Operating Junction Temperature (°C)

  -55 to 175

• Max. Dauer-Drain-Strom (A)

  10.6

• Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm)

  15@10V

• Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC)

  5.2@4.5V|10.2@10V

• Typische Gate-Ladung bei 10 V (nC)

  10.2

• Typische Eingangskapazität bei Vds (pF)

  733@20V

• Max. Leistungsaufnahme (mW)

  2400

• Typische Abfallzeit (ns)

  1.8

• Typische Anstiegszeit (ns)

  5.7

• Typische Abschaltverzögerungszeit (ns)

  8.7

• Typische Einschaltverzögerungszeit (ns)

  3.5

• Mindestbetriebstemperatur (°C)

  -55

• Max. Betriebstemperatur (°C)

  175

• Temperaturbereich Lieferant

  Automotive

• Befestigung

  Surface Mount

• Verpackungshöhe

  0.98

• Verpackungsbreite

  5.8

• Verpackungslänge

  4.9

• Leiterplatte geändert

  8

• Lieferantenverpackung

  PowerDI EP

• Stiftanzahl

  8