Produktspezifikationen
RoHS EU
Compliant
ECCN (USA)
EAR99
Part Status
Active
HTS
8541.29.00.55
Automotive
No
PPAP
No
Kategorie
Power MOSFET
Material
Si
Konfiguration
Single Quad Drain
Kanalmodus
Enhancement
Kanalart
N
Anzahl von Elementen pro Chip
1
Max. Drain-Source-Spannung (V)
100
Max. Gate-Source-Spannung (V)
±20
Max. Gate-Schwellwertspannung (V)
3.8
Max. Dauer-Drain-Strom (A)
14.4
Max. Gate-Source-Leckstrom (nA)
100
Max. Drain-Abschaltstrom (IDSS) (uA)
1
Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm)
59@10V
Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC)
4.3@10V
Typische Gate-Ladung bei 10 V (nC)
4.3
Typische Gate-Drain-Ladung (nC)
0.8
Typische Eingangskapazität bei Vds (pF)
349@50V
Max. Leistungsaufnahme (mW)
2500
Typische Abfallzeit (ns)
2
Typische Anstiegszeit (ns)
3
Typische Abschaltverzögerungszeit (ns)
7
Typische Einschaltverzögerungszeit (ns)
5
Mindestbetriebstemperatur (°C)
-55
Max. Betriebstemperatur (°C)
150
Verpackung
Tape and Reel
Typische Gate-Schwellwertspannung (V)
3.2
Befestigung
Surface Mount
Verpackungshöhe
0.75(Max)
Verpackungsbreite
2.1(Max)
Verpackungslänge
2.1(Max)
Leiterplatte geändert
6
Standard-Verpackungsname
SON
Lieferantenverpackung
WSON EP
Stiftanzahl
6
Leitungsform
No Lead
Bestellmenge