Produktspezifikationen
RoHS EU
Compliant with Exemption
ECCN (USA)
EAR99
Part Status
Active
HTS
8541.29.00.95
SVHC
Yes
SVHC überschreitet Schwellenwert
Yes
Automotive
No
PPAP
No
Kategorie
Power MOSFET
Material
Si
Konfiguration
Single Quad Drain Triple Source
Kanalmodus
Enhancement
Kanalart
N
Anzahl von Elementen pro Chip
1
Max. Drain-Source-Spannung (V)
60
Max. Gate-Source-Spannung (V)
±20
Max. Gate-Schwellwertspannung (V)
2.3
Operating Junction Temperature (°C)
-55 to 175
Max. Dauer-Drain-Strom (A)
100
Max. Gate-Source-Leckstrom (nA)
100
Max. Drain-Abschaltstrom (IDSS) (uA)
1
Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm)
2.2@10V
Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC)
41@10V|20@4.5V
Typische Gate-Ladung bei 10 V (nC)
41
Typische Gate-Drain-Ladung (nC)
6.7
Typische Gate-Source-Ladung (nC)
8.8
Typische Umkehr-Erholungsladung (nC)
145
Typische Eingangskapazität bei Vds (pF)
3250@30V
Typische Rückübertragungskapazität bei Vds (pF)
15@30V
Mindest-Gate-Schwellwertspannung (V)
1.5
Typische Ausgangskapazität (pF)
622
Max. Leistungsaufnahme (mW)
3100
Typische Abfallzeit (ns)
3
Typische Anstiegszeit (ns)
9
Typische Abschaltverzögerungszeit (ns)
20
Typische Einschaltverzögerungszeit (ns)
6
Mindestbetriebstemperatur (°C)
-55
Max. Betriebstemperatur (°C)
175
Verpackung
Tape and Reel
Max. gepulster Drain-Strombereich bei TC = 25 °C (A)
400
Typische Dioden-Durchlassspannung (V)
0.8
Typische Sperrerholungszeit (ns)
82
Max. Dioden-Durchlassspannung (V)
1
Typische Gate-Schwellwertspannung (V)
1.9
Max. Gate-Widerstand (Ohm)
1.6
Max. positive Gate-Source-Spannung (V)
20
Befestigung
Surface Mount
Verpackungshöhe
1
Verpackungsbreite
6
Verpackungslänge
5
Leiterplatte geändert
8
Standard-Verpackungsname
SON
Lieferantenverpackung
VSON-CLIP EP
Stiftanzahl
8
Leitungsform
No Lead