Produktspezifikationen
RoHS EU
Compliant with Exemption
ECCN (USA)
EAR99
Part Status
Active
HTS
8541.29.00.55
SVHC
Yes
SVHC überschreitet Schwellenwert
Yes
Automotive
No
PPAP
No
Kategorie
Power MOSFET
Material
Si
Konfiguration
Single
Kanalmodus
Enhancement
Kanalart
N
Anzahl von Elementen pro Chip
1
Max. Drain-Source-Spannung (V)
60
Max. Gate-Source-Spannung (V)
±20
Max. Gate-Schwellwertspannung (V)
3.5
Max. Dauer-Drain-Strom (A)
50
Max. Gate-Source-Leckstrom (nA)
100
Max. Drain-Abschaltstrom (IDSS) (uA)
1
Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm)
14@10V
Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC)
14@10V
Typische Gate-Ladung bei 10 V (nC)
14
Typische Gate-Drain-Ladung (nC)
2.3
Typische Eingangskapazität bei Vds (pF)
1140@30V
Max. Leistungsaufnahme (mW)
94000
Typische Abfallzeit (ns)
3.9
Typische Anstiegszeit (ns)
3.2
Typische Abschaltverzögerungszeit (ns)
12.6
Typische Einschaltverzögerungszeit (ns)
4.5
Mindestbetriebstemperatur (°C)
-55
Max. Betriebstemperatur (°C)
175
Verpackung
Tube
Typische Gate-Schwellwertspannung (V)
3
Befestigung
Through Hole
Verpackungshöhe
9.15
Verpackungsbreite
4.55
Verpackungslänge
10.16
Leiterplatte geändert
3
Tab
Tab
Standard-Verpackungsname
TO
Lieferantenverpackung
TO-220
Stiftanzahl
3
Leitungsform
Through Hole