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MOSFETs

CSD17308Q3T

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R

Texas Instruments

Produktspezifikationen
  • RoHS EU
    Compliant with Exemption
  • ECCN (USA)
    EAR99
  • Part Status
    Active
  • HTS
    COMPONENTS
  • SVHC
    Yes
  • SVHC überschreitet Schwellenwert
    Yes
  • Automotive
    No
  • PPAP
    No
  • Kategorie
    Power MOSFET
  • Konfiguration
    Single Quad Drain Triple Source
  • Kanalmodus
    Enhancement
  • Kanalart
    N
  • Anzahl von Elementen pro Chip
    1
  • Max. Drain-Source-Spannung (V)
    30
  • Max. Gate-Source-Spannung (V)
    10
  • Max. Gate-Schwellwertspannung (V)
    1.8
  • Max. Dauer-Drain-Strom (A)
    50
  • Max. Gate-Source-Leckstrom (nA)
    100
  • Max. Drain-Abschaltstrom (IDSS) (uA)
    1
  • Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm)
    10.3@8V
  • Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC)
    3.9@4.5V
  • Typische Gate-Drain-Ladung (nC)
    0.8
  • Typische Eingangskapazität bei Vds (pF)
    540@15V
  • Max. Leistungsaufnahme (mW)
    2700
  • Typische Abfallzeit (ns)
    2.3
  • Typische Anstiegszeit (ns)
    5.7
  • Typische Abschaltverzögerungszeit (ns)
    9.9
  • Typische Einschaltverzögerungszeit (ns)
    4.5
  • Mindestbetriebstemperatur (°C)
    -55
  • Max. Betriebstemperatur (°C)
    150
  • Verpackung
    Tape and Reel
  • Typische Gate-Schwellwertspannung (V)
    1.3
  • Befestigung
    Surface Mount
  • Verpackungshöhe
    1
  • Verpackungsbreite
    3.3
  • Verpackungslänge
    3.3
  • Leiterplatte geändert
    8
  • Standard-Verpackungsname
    SON
  • Lieferantenverpackung
    VSON-CLIP EP
  • Stiftanzahl
    8
  • Leitungsform
    No Lead

Dokumentation und Ressourcen

Datenblätter
Design-Ressourcen