Produktspezifikationen
RoHS EU
Compliant with Exemption
ECCN (USA)
EAR99
Part Status
Obsolete
HTS
8541.29.00.95
SVHC
Yes
SVHC überschreitet Schwellenwert
Yes
Automotive
No
PPAP
No
Kategorie
Power MOSFET
Material
SiC
Konfiguration
Single
Kanalmodus
Enhancement
Kanalart
N
Anzahl von Elementen pro Chip
1
Max. Drain-Source-Spannung (V)
1700
Max. Gate-Source-Spannung (V)
25
Max. Dauer-Drain-Strom (A)
75
Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm)
70@20V
Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC)
200@20V
Typische Eingangskapazität bei Vds (pF)
3455@1200V
Max. Leistungsaufnahme (mW)
338000
Typische Abfallzeit (ns)
19
Typische Anstiegszeit (ns)
19
Typische Abschaltverzögerungszeit (ns)
35
Typische Einschaltverzögerungszeit (ns)
68
Mindestbetriebstemperatur (°C)
-40
Max. Betriebstemperatur (°C)
150
Temperaturbereich Lieferant
Industrial
Verpackung
Tube
Befestigung
Through Hole
Verpackungshöhe
21.05(Max)
Verpackungsbreite
5.21(Max)
Verpackungslänge
16.13(Max)
Leiterplatte geändert
3
Tab
Tab
Standard-Verpackungsname
TO
Lieferantenverpackung
TO-247
Stiftanzahl
3
Bestellmenge