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Dev Kit

BT258S-800R,118

SCR 800V 8A(RMS) 82A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

WeEn Semiconductors Co., Ltd
Datenblätter 

Produktspezifikationen
  • RoHS EU
    Compliant with Exemption
  • ECCN (USA)
    EAR99
  • Part Status
    Active
  • HTS
    8541.30.00.80
  • SVHC
    Yes
  • SVHC überschreitet Schwellenwert
    Yes
  • Automotive
    Unknown
  • PPAP
    Unknown
  • Max. Spannungsanstieg im AUS-Zustand (V/us)
    100(Typ)
  • Max. Stromanstieg im EIN-Zustand (A/us)
    50
  • Max. Gate-Zündspannung (V)
    1
  • Max. Gate-Triggerstrom (mA)
    0.2
  • Nennstoßstrom (A)
    82
  • Max. Haltestrom (mA)
    6
  • Periodische Spitzensperrspannung (V)
    800
  • Max. Gate-Spitzensperrspannung (V)
    5
  • Spitzenspannung, EIN-Zustand (V)
    1.6@16A
  • Wiederkehrende Spitzendurchlass-Sperrspannung (V)
    800
  • Bewerteter durchschnittlicher Durchlassstrom (A)
    5
  • Strom im EIN-Zustand, Effektivwert (A)
    8
  • Periodischer Spitzensperrstrom (mA)
    0.5
  • Max. Einraststrom (mA)
    10
  • Spitzenaufnahmeleistung Gate (W)
    5
  • Durchschnittliche Aufnahmeleistung Gate (W)
    0.5
  • Überlegungen zur Schaltkreissicherung (A²S)
    28
  • Phasenregelung
    No
  • Mindestbetriebstemperatur (°C)
    -40
  • Max. Betriebstemperatur (°C)
    125
  • Befestigung
    Surface Mount
  • Verpackungshöhe
    2.38(Max)
  • Verpackungsbreite
    6.22(Max)
  • Verpackungslänge
    6.73(Max)
  • Leiterplatte geändert
    2
  • Tab
    Tab
  • Standard-Verpackungsname
    TO
  • Lieferantenverpackung
    DPAK
  • Stiftanzahl
    3
Bestellmenge

Dokumentation und Ressourcen

Datenblätter
Design-Ressourcen