Dev Kit

BT158W-1200TQ

SCR Diode 1200V 126A(RMS) 1210A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

WeEn Semiconductors Co., Ltd

Produktspezifikationen

• RoHS EU

  Compliant

• ECCN (USA)

  EAR99

• Part Status

  Active

• Automotive

  No

• PPAP

  No

• Max. Spannungsanstieg im AUS-Zustand (V/us)

  1500(Min)

• Max. Stromanstieg im EIN-Zustand (A/us)

  150

• Max. Gate-Zündspannung (V)

  1

• Max. Gate-Triggerstrom (mA)

  70

• Nennstoßstrom (A)

  1210

• Max. Haltestrom (mA)

  200

• Periodische Spitzensperrspannung (V)

  1200

• Max. Gate-Spitzensperrspannung (V)

  5

• Spitzenspannung, EIN-Zustand (V)

  1.65@160A

• Wiederkehrende Spitzendurchlass-Sperrspannung (V)

  1200

• Bewerteter durchschnittlicher Durchlassstrom (A)

  80

• Strom im EIN-Zustand, Effektivwert (A)

  126

• Periodischer Spitzensperrstrom (mA)

  3

• Max. Einraststrom (mA)

  300

• Spitzenaufnahmeleistung Gate (W)

  20

• Durchschnittliche Aufnahmeleistung Gate (W)

  1

• Überlegungen zur Schaltkreissicherung (A²S)

  6115

• Phasenregelung

  No

• Mindestbetriebstemperatur (°C)

  -40

• Max. Betriebstemperatur (°C)

  150

• Befestigung

  Through Hole

• Verpackungshöhe

  21.1(Max)

• Verpackungsbreite

  5.2(Max)

• Verpackungslänge

  15.9(Max)

• Leiterplatte geändert

  3

• Tab

  Tab

• Lieferantenverpackung

  TO-247

• Stiftanzahl

  3