BSP320SH6327XTSA1|INFINEON|simage
BSP320SH6327XTSA1|INFINEON|limage
MOSFETs

BSP320SH6327XTSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 2.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101

Infineon Technologies AG
Datenblätter 

Produktspezifikationen
  • RoHS EU
    Compliant
  • ECCN (USA)
    EAR99
  • Part Status
    Obsolete
  • HTS
    8541.29.00.75
  • Automotive
    Yes
  • PPAP
    Unknown
  • Kategorie
    Small Signal
  • Konfiguration
    Single Dual Drain
  • Kanalmodus
    Enhancement
  • Kanalart
    N
  • Anzahl von Elementen pro Chip
    1
  • Max. Drain-Source-Spannung (V)
    60
  • Max. Gate-Source-Spannung (V)
    ±20
  • Max. Gate-Schwellwertspannung (V)
    4
  • Max. Dauer-Drain-Strom (A)
    2.9
  • Max. Gate-Source-Leckstrom (nA)
    100
  • Max. Drain-Abschaltstrom (IDSS) (uA)
    1
  • Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm)
    120@10V
  • Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC)
    9.7@10V
  • Typische Gate-Ladung bei 10 V (nC)
    9.7
  • Typische Eingangskapazität bei Vds (pF)
    275@25V
  • Max. Leistungsaufnahme (mW)
    1800
  • Typische Abfallzeit (ns)
    35
  • Typische Anstiegszeit (ns)
    25
  • Typische Abschaltverzögerungszeit (ns)
    25
  • Typische Einschaltverzögerungszeit (ns)
    11
  • Mindestbetriebstemperatur (°C)
    -55
  • Max. Betriebstemperatur (°C)
    150
  • Temperaturbereich Lieferant
    Automotive
  • Verpackung
    Tape and Reel
  • Befestigung
    Surface Mount
  • Verpackungshöhe
    1.6
  • Verpackungsbreite
    3.5
  • Verpackungslänge
    6.5
  • Leiterplatte geändert
    3
  • Tab
    Tab
  • Standard-Verpackungsname
    SOT
  • Lieferantenverpackung
    SOT-223
  • Stiftanzahl
    4
  • Leitungsform
    Gull-wing

Dokumentation und Ressourcen

Datenblätter
Design-Ressourcen