MOSFETs
BSP320SH6327XTSA1
Trans MOSFET N-CH 60V 2.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
Infineon Technologies AGProduktspezifikationen
RoHS EU
Compliant
ECCN (USA)
EAR99
Part Status
Obsolete
HTS
8541.29.00.75
Automotive
Yes
PPAP
Unknown
Kategorie
Small Signal
Konfiguration
Single Dual Drain
Kanalmodus
Enhancement
Kanalart
N
Anzahl von Elementen pro Chip
1
Max. Drain-Source-Spannung (V)
60
Max. Gate-Source-Spannung (V)
±20
Max. Gate-Schwellwertspannung (V)
4
Max. Dauer-Drain-Strom (A)
2.9
Max. Gate-Source-Leckstrom (nA)
100
Max. Drain-Abschaltstrom (IDSS) (uA)
1
Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm)
120@10V
Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC)
9.7@10V
Typische Gate-Ladung bei 10 V (nC)
9.7
Typische Eingangskapazität bei Vds (pF)
275@25V
Max. Leistungsaufnahme (mW)
1800
Typische Abfallzeit (ns)
35
Typische Anstiegszeit (ns)
25
Typische Abschaltverzögerungszeit (ns)
25
Typische Einschaltverzögerungszeit (ns)
11
Mindestbetriebstemperatur (°C)
-55
Max. Betriebstemperatur (°C)
150
Temperaturbereich Lieferant
Automotive
Verpackung
Tape and Reel
Befestigung
Surface Mount
Verpackungshöhe
1.6
Verpackungsbreite
3.5
Verpackungslänge
6.5
Leiterplatte geändert
3
Tab
Tab
Standard-Verpackungsname
SOT
Lieferantenverpackung
SOT-223
Stiftanzahl
4
Leitungsform
Gull-wing

