MOSFETs

BSC0921NDIATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 17A/31A 8-Pin TISON EP T/R

Infineon Technologies AG

Produktspezifikationen

• RoHS EU

  Compliant with Exemption

• ECCN (USA)

  EAR99

• Part Status

  Active

• HTS

  8541.29.00.55

• SVHC

  Yes

• SVHC überschreitet Schwellenwert

  Yes

• Automotive

  No

• PPAP

  No

• Kategorie

  Power MOSFET

• Konfiguration

  Dual

• Kanalmodus

  Enhancement

• Kanalart

  N

• Anzahl von Elementen pro Chip

  2

• Max. Drain-Source-Spannung (V)

  30

• Max. Gate-Source-Spannung (V)

  ±20

• Max. Gate-Schwellwertspannung (V)

  2

• Operating Junction Temperature (°C)

  -55 to 150

• Max. Dauer-Drain-Strom (A)

  17@Q1|31@Q2

• Max. Gate-Source-Leckstrom (nA)

  100

• Max. Drain-Abschaltstrom (IDSS) (uA)

  1

• Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm)

  5@10V@Q1|1.6@10V@Q2

• Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC)

  5.9@4.5V@Q1|22@4.5V@Q2

• Typische Gate-Drain-Ladung (nC)

  1.9@Q 1|7@Q 2

• Typische Gate-Source-Ladung (nC)

  2.2@Q 1|6.7@Q 2

• Typische Umkehr-Erholungsladung (nC)

  5

• Typische Eingangskapazität bei Vds (pF)

  770@15V@Q1|2700@15V@Q2

• Typische Rückübertragungskapazität bei Vds (pF)

  44@15V@Q 1|150@15V@Q 2

• Mindest-Gate-Schwellwertspannung (V)

  1.2

• Typische Ausgangskapazität (pF)

  300@Q1|1100@Q2

• Max. Leistungsaufnahme (mW)

  2500

• Typische Abfallzeit (ns)

  2.4@Q 1|3.6@Q 2

• Typische Anstiegszeit (ns)

  3.4@Q 1|5@Q 2

• Typische Abschaltverzögerungszeit (ns)

  12@Q 1|25@Q 2

• Typische Einschaltverzögerungszeit (ns)

  5@Q 2|1.8@Q 1

• Mindestbetriebstemperatur (°C)

  -55

• Max. Betriebstemperatur (°C)

  150

• Verpackung

  Tape and Reel

• Typischer Drain-Source-Widerstand bei 25 °C (mOhm)

  5.8@4.5V|3.9@10V@Q1|1.7@4.5V|1.2@10V@Q2

• Max. Leistungsaufnahme auf Leiterplatte bei TC = 25 °C (W)

  1

• Max. gepulster Drain-Strombereich bei TC = 25 °C (A)

  160

• Max. thermischer Widerstand, Sperrschichtumgebung auf Leiterplatte (°C/W)

  125

• Typische Dioden-Durchlassspannung (V)

  0.9@Q 1|0.56@Q 2

• Typische Gate-Plateau-Spannung (V)

  2.8@Q 1|2.5@Q 2

• Max. Dioden-Durchlassspannung (V)

  1@Q 1|0.7@Q 2

• Mindest-Gate-Widerstand (Ohm)

  0.4@Q 1|0.3@Q 2

• Max. Gate-Widerstand (Ohm)

  1.4@Q 1|1@Q 2

• Max. positive Gate-Source-Spannung (V)

  20

• Max. Dauer-Drain-Strombereich auf Leiterplatte bei TC = 25 °C (A)

  17@Q 1|31@Q 2

• Befestigung

  Surface Mount

• Verpackungshöhe

  1

• Verpackungsbreite

  6

• Verpackungslänge

  5

• Leiterplatte geändert

  8

• Standard-Verpackungsname

  SON

• Lieferantenverpackung

  TISON EP

• Stiftanzahl

  8

• Leitungsform

  No Lead