Produktspezifikationen
RoHS EU
Compliant
ECCN (USA)
EAR99
Part Status
Active
HTS
8541.29.00.55
Automotive
Unknown
PPAP
Unknown
Kategorie
Power MOSFET
Konfiguration
Single
Kanalmodus
Enhancement
Kanalart
N
Anzahl von Elementen pro Chip
1
Max. Drain-Source-Spannung (V)
900
Max. Gate-Source-Spannung (V)
±30
Max. Dauer-Drain-Strom (A)
4
Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm)
3600@10V
Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC)
18.4@10V
Typische Gate-Ladung bei 10 V (nC)
18.4
Typische Eingangskapazität bei Vds (pF)
728@25V
Max. Leistungsaufnahme (mW)
37000
Typische Abfallzeit (ns)
39
Typische Anstiegszeit (ns)
46
Typische Abschaltverzögerungszeit (ns)
43
Typische Einschaltverzögerungszeit (ns)
22
Mindestbetriebstemperatur (°C)
-55
Max. Betriebstemperatur (°C)
150
Verpackung
Tube
Typischer Drain-Source-Widerstand bei 25 °C (mOhm)
2800@10V
Befestigung
Through Hole
Verpackungshöhe
15.87
Verpackungsbreite
4.7
Verpackungslänge
10.16
Leiterplatte geändert
3
Tab
Tab
Standard-Verpackungsname
TO
Lieferantenverpackung
TO-220F
Stiftanzahl
3
Leitungsform
Through Hole
Bestellmenge