MOSFETs

AOTF10N65

Trans MOSFET N-CH 650V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220F

Alpha and Omega Semiconductor

Produktspezifikationen

• RoHS EU

  Compliant

• ECCN (USA)

  EAR99

• Part Status

  Active

• Automotive

  Unknown

• PPAP

  Unknown

• Kategorie

  Power MOSFET

• Konfiguration

  Single

• Kanalmodus

  Enhancement

• Kanalart

  N

• Anzahl von Elementen pro Chip

  1

• Max. Drain-Source-Spannung (V)

  650

• Max. Gate-Source-Spannung (V)

  ±30

• Max. Dauer-Drain-Strom (A)

  10

• Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm)

  1000@10V

• Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC)

  27.7@10V

• Typische Gate-Ladung bei 10 V (nC)

  27.7

• Typische Eingangskapazität bei Vds (pF)

  1369@25V

• Max. Leistungsaufnahme (mW)

  50000

• Typische Abfallzeit (ns)

  53

• Typische Anstiegszeit (ns)

  61

• Typische Abschaltverzögerungszeit (ns)

  74

• Typische Einschaltverzögerungszeit (ns)

  30

• Mindestbetriebstemperatur (°C)

  -55

• Max. Betriebstemperatur (°C)

  150

• Typischer Drain-Source-Widerstand bei 25 °C (mOhm)

  770@10V

• Befestigung

  Through Hole

• Verpackungshöhe

  15.87

• Verpackungsbreite

  4.7

• Verpackungslänge

  10.16

• Leiterplatte geändert

  3

• Tab

  Tab

• Standard-Verpackungsname

  TO

• Lieferantenverpackung

  TO-220F

• Stiftanzahl

  3

• Leitungsform

  Through Hole