MOSFETs

AON7611

Trans MOSFET N/P-CH 30V 9A/18.5A 8-Pin DFN-A EP T/R

Alpha and Omega Semiconductor

Produktspezifikationen

• RoHS EU

  Compliant

• ECCN (USA)

  EAR99

• Part Status

  Active

• HTS

  8541.29.00.55

• Automotive

  Unknown

• PPAP

  Unknown

• Kategorie

  Power MOSFET

• Konfiguration

  Dual Dual Drain

• Kanalmodus

  Enhancement

• Kanalart

  N|P

• Anzahl von Elementen pro Chip

  2

• Max. Drain-Source-Spannung (V)

  30

• Max. Gate-Source-Spannung (V)

  ±20

• Max. Gate-Schwellwertspannung (V)

  2.5

• Operating Junction Temperature (°C)

  -55 to 150

• Max. Dauer-Drain-Strom (A)

  9@N Channel|18.5@P Channel

• Max. Gate-Source-Leckstrom (nA)

  100

• Max. Drain-Abschaltstrom (IDSS) (uA)

  1

• Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm)

  50@10V@N Channel|38@10V@P Channel

• Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC)

  4.05@10V|2@4.5V@N Channel|9.2@10V|4.6@4.5V@P Channel

• Typische Gate-Ladung bei 10 V (nC)

  4.05@N Channel|9.2@P Channel

• Typische Gate-Drain-Ladung (nC)

  1@N Channel|2.2@P Channel

• Typische Gate-Source-Ladung (nC)

  0.55@N Channel|1.6@P Channel

• Typische Umkehr-Erholungsladung (nC)

  2.5@N Channel|5.3@P Channel

• Typische Eingangskapazität bei Vds (pF)

  210@15V@N Channel|520@15V@P Channel

• Typische Rückübertragungskapazität bei Vds (pF)

  23@15V@N Channel|65@15V@P Channel

• Mindest-Gate-Schwellwertspannung (V)

  1.5

• Typische Ausgangskapazität (pF)

  35@N Channel|100@P Channel

• Max. Leistungsaufnahme (mW)

  1500

• Typische Abfallzeit (ns)

  1.5@N Channel|7@P Channel

• Typische Anstiegszeit (ns)

  1.5@N Channel|5.5@P Channel

• Typische Abschaltverzögerungszeit (ns)

  18.5@N Channel|19@P Channel

• Typische Einschaltverzögerungszeit (ns)

  4.5@N Channel|7.5@P Channel

• Mindestbetriebstemperatur (°C)

  -55

• Max. Betriebstemperatur (°C)

  150

• Verpackung

  Tape and Reel

• Typischer Drain-Source-Widerstand bei 25 °C (mOhm)

  40@10V|53@4.5V@N Channel|30@10V|46@4.5V@P Channel

• Max. gepulster Drain-Strombereich bei TC = 25 °C (A)

  20@N Channel|35@P Channel

• Typische Gate-Plateau-Spannung (V)

  3

• Typische Sperrerholungszeit (ns)

  7.5@N Channel|11@P Channel

• Mindest-Gate-Widerstand (Ohm)

  0.7@N Channel|3.5@P Channel

• Typische Gate-Schwellwertspannung (V)

  2

• Max. Gate-Widerstand (Ohm)

  3@N Channel|11.5@P Channel

• Max. positive Gate-Source-Spannung (V)

  20

• Befestigung

  Surface Mount

• Verpackungshöhe

  0.78

• Verpackungsbreite

  3

• Verpackungslänge

  3

• Leiterplatte geändert

  8

• Standard-Verpackungsname

  DFN

• Lieferantenverpackung

  DFN-A EP

• Stiftanzahl

  8

• Leitungsform

  No Lead