Produktspezifikationen
RoHS EU
Compliant
ECCN (USA)
EAR99
Part Status
Active
HTS
8541.29.00.55
Automotive
Unknown
PPAP
Unknown
Kategorie
Power MOSFET
Konfiguration
Single
Kanalmodus
Enhancement
Kanalart
N
Anzahl von Elementen pro Chip
1
Max. Drain-Source-Spannung (V)
100
Max. Gate-Source-Spannung (V)
±20
Max. Gate-Schwellwertspannung (V)
2.7
Max. Dauer-Drain-Strom (A)
31
Max. Gate-Source-Leckstrom (nA)
100
Max. Drain-Abschaltstrom (IDSS) (uA)
1
Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm)
24@10V
Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC)
7@4.5V|16.5@10V
Typische Gate-Ladung bei 10 V (nC)
16.5
Typische Eingangskapazität bei Vds (pF)
1190@15V
Max. Leistungsaufnahme (mW)
2500
Typische Abfallzeit (ns)
3
Typische Anstiegszeit (ns)
8
Typische Abschaltverzögerungszeit (ns)
20
Typische Einschaltverzögerungszeit (ns)
7
Mindestbetriebstemperatur (°C)
-55
Max. Betriebstemperatur (°C)
175
Typischer Drain-Source-Widerstand bei 25 °C (mOhm)
18.5@10V|24.5@4.5V
Befestigung
Surface Mount
Verpackungshöhe
2.29
Verpackungsbreite
6.1
Verpackungslänge
6.6
Leiterplatte geändert
2
Tab
Tab
Standard-Verpackungsname
TO
Lieferantenverpackung
DPAK
Stiftanzahl
3