Produktspezifikationen
RoHS EU
Compliant
ECCN (USA)
EAR99
Part Status
Active
HTS
8541.29.00.55
Automotive
Unknown
PPAP
Unknown
Kategorie
Power MOSFET
Konfiguration
Dual Common Drain Dual Source
Kanalmodus
Enhancement
Kanalart
N
Anzahl von Elementen pro Chip
2
Max. Drain-Source-Spannung (V)
20
Max. Gate-Source-Spannung (V)
±12
Max. Dauer-Drain-Strom (A)
7
Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm)
21@10V
Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC)
6@4.5V
Typische Gate-Ladung bei 10 V (nC)
6
Typische Eingangskapazität bei Vds (pF)
500@10V
Max. Leistungsaufnahme (mW)
1500
Typische Abfallzeit (ns)
18000
Typische Anstiegszeit (ns)
1
Typische Abschaltverzögerungszeit (ns)
7400
Typische Einschaltverzögerungszeit (ns)
1
Mindestbetriebstemperatur (°C)
-55
Max. Betriebstemperatur (°C)
150
Typischer Drain-Source-Widerstand bei 25 °C (mOhm)
17.2@10V|19.4@4.5V|20.7@3.6V|25@2.5V|35@1.8V
Befestigung
Surface Mount
Verpackungshöhe
1
Verpackungsbreite
4.4
Verpackungslänge
3
Leiterplatte geändert
8
Standard-Verpackungsname
SO
Lieferantenverpackung
TSSOP
Stiftanzahl
8
Leitungsform
Gull-wing
Bestellmenge